晶圆化学机械抛光
此工艺需要在有压力的情况保持一定转速运动,对电机的运动稳定性要求较高,否则在运动的情况下有外力介入,会影响晶圆研磨效果,导致废片。
  • 项目需求
    化学机械抛光设备主要用于单晶硅片制造和芯片制造前道工艺,依托CMP技术的化学-机械动态耦合作用原理,通过化学腐蚀与机械研磨的协同配合作用,实现晶圆表面多余材料的有效去除与全局平整度的纳米级平坦化。 此工艺需要在有压力的情况保持一定转速运动,对电机的运动稳定性要求较高,否则在运动的情况下有外力介入,会影响晶圆研磨效果,导致废片。

  • 解决方案

         

         

    Akribis提供各种类型的DDR电机,同时根据客户具体应用工况进行定制化设计。我们在半导体行业拥有很高的行业认可度,Akribis已在200mm和300mm晶圆的CMP设备上有非常成熟的应用和解决方案。针对CMP设备的DDR电机,以高扭矩密度为设计理念,用更紧凑的结构实现更高的峰值扭矩和持续扭矩;同时也优化了铁芯设计,使齿槽扭矩微型化,实现更小的速度波动。


  • 主要参数



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